El rol de la memoria
El término "memoria" se aplica a cualquier componente electrónico capaz de almacenar datos en forma temporal. Existen dos categorías principales de memorias:
* La memoria interna que almacena datos en forma temporal mientras los programas se están ejecutando. La memoria interna utiliza microconductores, es decir circuitos electrónicos rápidos especializados. La memoria interna corresponde a lo que llamamos memoria de acceso aleatorio (RAM).
* La memoria auxiliar (llamada también memoria física o memoria externa) que almacena información a largo plazo, incluso después de apagar el equipo. La memoria auxiliar corresponde a los dispositivos magnéticos de almacenamiento como por ejemplo el disco duro, dispositivos ópticos de almacenamiento como los CD-ROM y DVD-ROM, y a las memorias de sólo lectura.
Características técnicas
Las principales características de una memoria son las siguientes:
* Capacidad, que representa el volumen global de información (en bits) que la memoria puede almacenar.
* Tiempo de acceso, que corresponde al intervalo de tiempo entre la solicitud de lectura/escritura y la disponibilidad de los datos.
* Tiempo de ciclo, que representa el intervalo de tiempo mínimo entre dos accesos sucesivos.
* Rendimiento, que define el volumen de información intercambiado por unidad de tiempo, expresado en bits por segundo.
* No volatilidad, que caracteriza la capacidad de una memoria para almacenar datos cuando no recibe más electricidad.
La memoria ideal posee una gran capacidad con tiempos de acceso y tiempos de ciclo muy restringidos, un rendimiento elevado y no es volátil.
Sin embargo, las memorias rápidas también son las más costosas. Ésta es la razón por la cual se utilizan en un equipo memorias que usan diferentes tecnologías, interconectadas entre sí y organizadas de manera jerárquica.
Las memorias más rápidas están ubicadas en pequeñas cantidades cerca del procesador. Las memorias auxiliares, que no son tan rápidas, se utilizan para almacenar información permanentemente.
Tipos de memorias
Memoria de acceso aleatorio
La memoria de acceso aleatorio, llamada generalmente RAM es la memoria principal del sistema, es decir, un espacio que permite almacenar datos temporalmente mientras un programa se está ejecutando.
A diferencia del almacenamiento de datos en una memoria auxiliar como un disco duro, RAM es volátil, lo que significa que solamente almacena datos mientras recibe electricidad. Por lo tanto, cada vez que el equipo se apaga, todos los datos de la memoria se borran irremediablemente.
Memoria de sólo lectura
La memoria de sólo lectura, llamada ROM, es un tipo de memoria que permite guardar la información contenida en ella aun cuando la memoria no recibe electricidad. Básicamente, este tipo de memoria tiene únicamente acceso de sólo lectura. Sin embargo, es posible guardar información en algunos tipos de memoria ROM.
Memoria flash
La memoria flash es un punto intermedio entre las memorias de tipo RAM y ROM. La memoria flash posee la no volatilidad de las memorias ROM mientras que provee acceso a la lectura y escritura. En contrapartida, los tiempos de acceso de las memorias flash son más prolongados que los de RAM.
Memoria de acceso aleatorio (memoria RAM o PC)
Tipos de memoria de acceso aleatorio
En términos generales, existen dos grandes categorías de memoria de acceso aleatorio:
* Las memorias DRAM (Módulo de Acceso Aleatorio Dinámico), las cuales son menos costosas. Se utilizan principalmente para la memoria principal del ordenador
* Las memorias SRAM (Módulo de Acceso Aleatorio Estático), rápidas pero relativamente costosas. Las memorias SRAM se utilizan en particular en la memoria caché del procesador
Funcionamiento de la memoria de acceso aleatorio
La memoria de acceso aleatorio consta de cientos de miles de pequeños capacitadores que almacenan cargas. Al cargarse, el estado lógico del capacitador es igual a 1; en el caso contrario, es igual a 0, lo que implica que cada capacitador representa un bit de memoria.
Teniendo en cuenta que se descargan, los capacitadores deben cargarse constantemente (el término exacto es actualizar) a intervalos regulares, lo que se denomina ciclo de actualización. Las memorias DRAM, por ejemplo, requieren ciclos de actualización de unos 15 nanosegundos (ns).
Cada capacitador está acoplado a un transistor (tipo MOS), lo cual posibilita la "recuperación" o modificación del estado del capacitador. Estos transistores están dispuestos en forma de tabla (matriz), de modo que se accede a la caja de memoria (también llamada punto de memoria) mediante una línea y una columna.
Cada punto de memoria se caracteriza así por una dirección que corresponde a su vez a un número de fila y a un número de columna. Este acceso no es instantáneo; el período de tiempo que lleva se denomina tiempo de latencia. En consecuencia, el tiempo necesario para acceder a la información en la memoria es igual al tiempo del ciclo más el tiempo de latencia.
De este modo, en el caso de la memoria DRAM, por ejemplo, el tiempo de acceso es de 60 nanosegundos (35 ns del tiempo del ciclo más 25 ns del tiempo de latencia). En el ordenador, el tiempo del ciclo corresponde al opuesto de la frecuencia de reloj; por ejemplo, en un ordenador con una frecuencia de 200 MHz, el tiempo del ciclo es de 5 ns (1/200*106).
En consecuencia, en un ordenador con alta frecuencia, que utiliza memorias con un tiempo de acceso mucho más prolongado que el tiempo del ciclo del procesador, se deben producir estados de espera para que se permita el acceso a la memoria. En el caso de un ordenador con una frecuencia de 200 MHz que utiliza memorias DRAM (y con un tiempo de acceso de 60 ns), se generan 11 estados de espera para un ciclo de transferencia. El rendimiento del ordenador disminuye a medida que aumenta el número de estados de espera, por lo que es recomendable implementar el uso de memorias más rápidas.
Formatos de módulos RAM
Existen diferentes tipos de memoria de acceso aleatorio. Estas se presentan en forma de módulos de memoria que pueden conectarse a la placa madre.
Las primeras memorias fueron chips denominados DIP (Paquete en Línea Doble). Hoy en día, las memorias por lo general se suministran en forma de módulos, es decir, tarjetas que se colocan en conectores designados para tal fin. En términos generales, existen tres tipos de módulos RAM:
* módulos en formato SIMM (Módulo de Memoria en Línea Simple): se trata de placas de circuito impresas, con uno de sus lados equipado con chips de memoria. Existen dos tipos de módulos SIMM, según el número de conectores:
o Los módulos SIMM con 30 conectores (de 89x13mm) son memorias de 8 bits que se instalaban en los PC de primera generación (286, 386).
o Los módulos SIMM con 72 conectores (sus dimensiones son 108x25mm) son memorias capaces de almacenar 32 bits de información en forma simultánea. Estas memorias se encuentran en los PC que van desde el 386DX hasta los primeros Pentiums. En el caso de estos últimos, el procesador funciona con un bus de información de 64 bits, razón por la cual, estos ordenadores necesitan estar equipados con dos módulos SIMM. Los módulos de 30 clavijas no pueden instalarse en posiciones de 72 conectores, ya que la muesca (ubicada en la parte central de los conectores) imposibilitaría la conexión.
* Los módulos en formato DIMM (Módulo de Memoria en Línea Doble), son memorias de 64 bits, lo cual explica por qué no necesitan emparejamiento. Los módulos DIMM poseen chips de memoria en ambos lados de la placa de circuito impresa, y poseen a la vez, 84 conectores de cada lado, lo cual suma un total de 168 clavijas. Además de ser de mayores dimensiones que los módulos SIMM (130x25mm), estos módulos poseen una segunda muesca que evita confusiones.
Cabe observar que los conectores DIMM han sido mejorados para facilitar su inserción, gracias a las palancas ubicadas a ambos lados de cada conector.
También existen módulos más pequeños, conocidos como SO DIMM (DIMM de contorno pequeño), diseñados para ordenadores portátiles. Los módulos SO DIMM sólo cuentan con 144 clavijas en el caso de las memorias de 64 bits, y con 77 clavijas en el caso de las memorias de 32 bits.
* Los módulos en formato RIMM (Módulo de Memoria en Línea Rambus, también conocido como RD-RAM o DRD-RAM) son memorias de 64 bits desarrolladas por la empresa Rambus. Poseen 184 clavijas. Dichos módulos poseen dos muescas de posición, con el fin de evitar el riesgo de confusión con módulos previos.
Dada la alta velocidad de transferencia de que disponen, los módulos RIMM poseen una película térmica cuyo rol es el mejorar la transferencia de calor.
Al igual que con los módulos DIMM, también existen módulos más pequeños, conocidos como SO RIMM (RIMM de contorno pequeño), diseñados para ordenadores portátiles. Los módulos SO RIMM poseen sólo 160 clavijas.
DRAM PM
La DRAM (RAM Dinámica) es el tipo de memoria más común en estos tiempos. Se trata de una memoria cuyos transistores se disponen en forma de matriz, en forma de filas y columnas. Un transistor, acoplado con un capacitador, proporciona información en forma de bits. Dado que un octeto contiene 8 bits, un módulo de memoria DRAM de 256 Mo contendrá por lo tanto 256 * 2^10 * 2^10 = 256 * 1024 * 1024 = 268.435.456 octetos = 268.435.456 * 8 = 2.147.483.648 bits = 2.147.483.648 transistores. De esta manera, un módulo de 256 Mo posee una capacidad de 268.435.456 octetos, o 268 Mo. Los tiempos de acceso de estas memorias son de 60 ns.
Además, el acceso a la memoria en general se relaciona con la información almacenada consecutivamente en la memoria. De esta manera, el modo de ráfaga permite el acceso a las tres partes de información que siguen a la primera parte, sin tiempo de latencia adicional. De este modo, el tiempo necesario para acceder a la primera parte de la información es igual al tiempo del ciclo más el tiempo de latencia, mientras que el tiempo necesario para acceder a las otras tres partes de la información sólo es igual al tiempo de ciclo; los cuatro tiempos de acceso se expresan, entonces, en la forma X-Y-Y-Y. Por ejemplo, 5-3-3-3 indica que la memoria necesita 5 ciclos del reloj para acceder a la primera parte de la información, y 3 para acceder a las subsiguientes.
DRAM FPM
Para acelerar el acceso a la DRAM, existe una técnica, conocida como paginación, que permite acceder a la información ubicada en una misma columna, modificando únicamente la dirección en la fila, y evitando de esta manera, la repetición del número de columna entre lecturas por fila. Este proceso se conoce como DRAM FPM (Memoria en Modo Paginado). El FPM alcanza tiempos de acceso de unos 70 u 80 nanosegundos, en el caso de frecuencias de funcionamiento de entre 25 y 33 Mhz.
DRAM EDO
La DRAM EDO (Salida de Información Mejorada, a veces denominada "híper- página") se introdujo en 1995. La técnica utilizada en este tipo de memoria implica direccionar la columna siguiente mientras paralelamente se está leyendo la información de una columna anterior. De esta manera, se crea un acceso superpuesto que permite ahorrar tiempo en cada ciclo. El tiempo de acceso de la memoria EDO es de 50 a 60 nanosegundos, en el caso de una frecuencia de funcionamiento de entre 33 y 66 Mhz.
De modo que la RAM EDO, cuando se utiliza en modo ráfaga, alcanza ciclos 5-2-2-2, lo cual representa una ganancia de 4 ciclos al acceder a 4 partes de información. Dado que la memoria EDO no funcionaba con frecuencias mayores a 66 Mhz, se suspendió su uso en favor de la SDRAM.
SDRAM
La SDRAM (DRAM Sincrónica), introducida en 1997, permite la lectura de la información sincronizada con el bus de la placa madre, a diferencia de lo que ocurre con las memorias EDO y FPM (conocidas como asincrónicas), las cuales poseen reloj propio. La SDRAM elimina de esta manera, los tiempos de espera ocasionados por la sincronización con la placa madre. Gracias a esto se logra un ciclo de modo ráfaga de 5-1-1-1, con una ganancia de 3 ciclos en comparación con la RAM EDO. La SDRAM puede, entonces, funcionar con una frecuencia mayor a 150 MHz, logrando tiempos de acceso de unos 10 ns.
DR-SDRAM (Rambus DRAM)
La DR-SDRAM (DRAM Directa de Rambus), es un tipo de memoria que permite la transferencia de datos a un bus de 16 bits y a una frecuencia de 800 Mhs, lo que proporciona un ancho de banda de 1,6 GB/s. Al igual que la SDRAM, este tipo de memoria está sincronizada con el reloj del bus, a fin de mejorar el intercambio de información. Sin embargo, la memoria RAMBUS es un producto de tecnología patentada, lo que implica que cualquier empresa que desee producir módulos RAM que utilicen esta tecnología deberá abonar regalías, tanto a RAMBUS como a Intel.
DDR-SDRAM
La DDR-SDRAM (SDRAM de Tasa Doble de Transferencia de Datos) es una memoria basada en la tecnología SDRAM, que permite duplicar la tasa de transferencia alcanzada por ésta utilizando la misma frecuencia.
La información se lee o ingresa en la memoria al igual que un reloj. Las memorias DRAM estándares utilizan un método conocido como SDR (Tasa Simple de
Transferencia de Datos), que implica la lectura o escritura de información en cada borde de entrada.
La DDR permite duplicar la frecuencia de lectura/escritura con un reloj a la misma frecuencia, enviando información a cada borde de entrada y a cada borde posterior.
Las memorias DDR por lo general poseen una marca, tal como PCXXXX, en la que "XXXX" representa la velocidad en MB/s.
DDR2-SDRAM
Las memorias DDR2 (o DDR-II) alcanzan velocidades dos veces superiores a las memorias DDR con la misma frecuencia externa.
El acrónimo QDR (Tasa Cuádruple de Transferencia de Datos o con Quad-pump) designa el método de lectura y escritura utilizado. De hecho, la memoria DDR2 utiliza dos canales separados para los procesos de lectura y escritura, con lo cual es capaz de enviar o recibir el doble de información que la DDR.
La DDR2 también posee más conectores que la DDR clásica (la DDR2 tiene 240, en comparación con los 184 de la DDR).
Cuadro de resumen
El siguiente cuadro muestra la equivalencia entre la frecuencia de la placa madre (FSB), la frecuencia de la memoria (RAM) y su velocidad:
Memoria Nombre Frecuencia (RAM) Frecuencia (RAM) Velocidad
DDR200 PC1600 200 MHz 100 MHz 1,6 GB/s
DDR266 PC2100 266 MHz 133 MHz 2,1 s
DDR333 PC2700 333 MHz 166 MHz 2,7 s
DDR400 PC3200 400 MHz 200 MHz 3,2 s
DDR433 PC3500 433 MHz 217 MHz 3,5 s
DDR466 PC3700 466 MHz 233 MHz 3,7 s
DDR500 PC4000 500 MHz 250 MHz 4 s
DDR533 PC4200 533 MHz 266 MHz 4,2 s
DDR538 PC4300 538 MHz 269 MHz 4,3 s
DDR550 PC4400 550 MHz 275 MHz 4,4 s
DDR2-400 PC2-3200 400 MHz 100 MHz 3,2 s
DDR2-533 PC2-4300 533 MHz 133 MHz 4,3 s
DDR2-667 PC2-5300 667 MHz 167 MHz 5,3 s
DDR2-675 PC2-5400 675 MHz 172,5 MHz 5,4 s
DDR2-800 PC2-6400 800 MHz 200 MHz 6,4 s
Sincronización (tiempos)
No es poco común ver valores como "3-2-2-2" ó "2-3-3-2" para describir los parámetros de la memoria de acceso aleatorio. Esta sucesión de cuatro cifras describe la sincronización de la memoria (tiempo); es decir, la secuencia de ciclos de reloj necesaria para acceder a la información almacenada en la RAM. Las cuatro cifras corresponden, en orden, a los siguientes valores:
* demora de CAS o latencia de CAS (CAS significa Señalizador de Direccionamiento en Columna): es el número de ciclos de reloj que transcurre
entre el envío del comando de lectura y la llegada de la información. En otras palabras, es el tiempo necesario para acceder a una columna.
* Tiempo de precarga de RAS (conocido como tRP; RAS significa Señalizador de Direccionamiento en Fila): es el número de ciclos de reloj transcurridos entre dos instrucciones de RAS, es decir, entre dos accesos a una fila.
* demora de RAS a CAS (a veces llamada tRCD): es el número de ciclos de reloj correspondiente al tiempo de acceso de una fila a una columna.
* tiempo activo de RAS (a veces denominado tRAS): es el número de ciclos de reloj correspondiente al tiempo de acceso a una columna.
Las tarjetas de memoria están equipadas con un dispositivo llamado SPD (Detección de Presencia en Serie), el cual permite al BIOS averiguar los valores de ajuste nominales definidos por el fabricante. Se trata de una EEPROM, cuya información puede cargarse en el BIOS si el usuario elige el ajuste "auto".
Corrección de errores
Algunas memorias poseen mecanismos de corrección de errores, con el fin de garantizar la integridad de la información que contienen. Este tipo de memoria se utiliza por lo general en sistemas que trabajan con información esencial, motivo por el cual este tipo de memoria se encuentra en servidores.
Bit de paridad
Los módulos con bits de paridad garantizan que los datos contenidos en la memoria sean los necesarios. Para obtener esto, uno de los bits de cada octeto almacenado en la memoria se utiliza para almacenar la suma de los bits de datos. El bit de paridad vale 1 cuando la suma de los bits de información arroja un número impar, y 0 en el caso contrario.
De este modo, los módulos con bit de paridad permiten la integración de los datos que se verificarán, aunque por otro lado, no prevén la corrección de errores. Además, de 9 Mo de memoria sólo 8 se emplearán para almacenar datos, dado que el último mega-octeto se utiliza para almacenar los bits de paridad.
Módulos ECC
Los módulos de memoria ECC (Códigos de Corrección de Errores), disponen de varios bits dedicados a la corrección de errores (conocidos como bits de control). Dichos módulos, utilizados principalmente en servidores, permiten la detección y la corrección de errores.
Canal Doble
Algunos controladores de memoria disponen de un canal doble para la memoria. Los módulos de memoria se utilizan en pares con el fin de lograr un mayor ancho de banda y así poder utilizar al máximo la capacidad del sistema. Al utilizar el Canal Doble, resulta indispensable utilizar un par de módulos idénticos (de la misma frecuencia y capacidad, y, preferentemente, de la misma marca).
Memoria DDR3-SDRAM
DDR3 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la SDRAM.
El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de hacer transferencias de datos más rápido, lo que permite obtener velocidades de transferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDR2 anteriores. Sin embargo, no hay una reducción en la latencia, la cual es proporcionalmente más alta. Además la DDR3 permite usar integrados de 512 MB a 8 GB, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 GiB. También proporciona significativas mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo.
Se prevé que la tecnología DDR3 puede ser dos veces más rápida que la DDR2 y el alto ancho de banda que promete ofrecer DDR3 es la mejor opción para la combinación de un sistema con procesadores dual-core, quad-core y hexaCore (2, 4 y 6 núcleos por microprocesador). Las tensiones más bajas del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2) ofrecen una solución térmica y energética más eficaces.
Los DIMMs DDR3 tienen 240 contactos, el mismo número que DDR2; sin embargo,
los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca.
los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca.
Memoria de sólo lectura (ROM)
Existe un tipo de memoria que almacena información sin necesidad de corriente eléctrica; se trata de la ROM (Read Only Memory, o Memoria de Sólo Lectura), a veces denominada memoria no volátil, dado que no se borra cuando se apaga el sistema.
Este tipo de memoria permite almacenar la información necesaria para iniciar el ordenador. De hecho, no es posible almacenar esta información en el disco duro, dado que los parámetros del disco (vitales para la inicialización) forman parte de dicha información y resultan esenciales para el arranque. Existen diferentes memorias de tipo ROM que contienen dichos datos esenciales para iniciar el ordenador, entre ellas: * El BIOS,es un programa que permite controlar las principales interfaces de entrada-salida, de ahí el nombre BIOS ROM que a veces se le da al chip de la memoria de sólo lectura de la placa madre que lo aloja.
* El cargador de bootstrap: programa para cargar memoria (de acceso aleatorio) al sistema operativo y ejecutarla. Éste, generalmente busca el sistema operativo de la unidad de disquetes y luego el disco duro, lo que permite que el sistema operativo se ejecute desde el sistema de disquetes en el caso de que ocurra algún desperfecto en el sistema instalado en el disco duro.
* La Configuración CMOS es la pantalla que se visualiza al iniciarse el ordenador. Se utiliza para modificar los parámetros del sistema (a menudo erróneamente llamada BIOS).
* La Auto-prueba de Encendido (POST) es un programa que se ejecuta automáticamente cuando arranca el sistema, permitiendo de esta manera probar dicho sistema (razón por la cual el sistema "cuenta" la RAM en el inicio). Dado que las memorias ROM son mucho más lentas que las RAM (el tiempo de acceso en el caso de la ROM es de unos 150 ns, mientras que para la SDRAM es de unos 10 ns), las instrucciones suministradas en la ROM a veces se copian a la RAM en el inicio; proceso denominado respaldo, aunque a menudo se le llama memoria de respaldo).
Tipos de ROM
ROM
Las primeras memorias ROM se fabricaron utilizando un procedimiento que escribe directamente la información binaria en una placa de silicona mediante una máscara. Este procedimiento hoy en día es obsoleto.
PROM
Las memorias PROM (Programmable Read Only Memory, o Memoria Programable de Sólo Lectura), fueron desarrolladas a fines de la década del 70 por una compañía llamada Texas Instruments. Dichas memorias consisten en chips que comprimen miles de fusibles (o diodos) capaces de "quemarse" mediante un dispositivo denominado "programador ROM", aplicando un alto voltaje (12V) a las cajas de memoria a marcar. Los fusibles quemados corresponden a 0 y los demás a 1.
EPROM
Las memorias EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory, o Memoria Programable y Borrable de Sólo Lectura), son memorias PROM que se pueden eliminar. Estos chips disponen de un panel de vidrio que deja entrar los rayos ultra-violeta. Cuando el chip es sometido a rayos ultra-violeta de una determinada longitud de onda, se reconstituyen los fusibles, lo que implica que todos los bits de memoria vuelven a 1. Por esta razón, este tipo de PROM se denomina borrable.
EEPROM
Las memorias EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory, o Memoria Programable de Sólo Lectura Borrable Eléctricamente) también son memorias PROM borrables, pero a diferencia de éstas, se pueden borrar mediante una sencilla corriente eléctrica, es decir, incluso si se encuentran en posición en el ordenador.
Existe una variante de estas memorias, conocida como memoria flash (también Flash ROM o Flash EPROM). A diferencia de las memorias EEPROM clásicas, que utilizan 2 o 3 transistores por cada bit a memorizar, la memoria EPROM Flash utiliza un solo transistor. Además, la memoria EEPROM puede escribirse y leerse palabra por palabra, mientras que la Flash únicamente puede borrarse por páginas (el tamaño de las páginas disminuye constantemente).
Por último, la memoria Flash es más densa, lo que implica que pueden producirse chips que contengan cientos de megabytes. De esta manera, las memorias EEPROM son preferibles a la hora de tener que memorizar información de configuración, mientras que la memoria Flash se utiliza para código programable (programas de IT).
La acción de reprogramar una memoria EEPROM se denomina actualización.
Tarjeta de memoria (memoria Flash)
Introducción a la memoria Flash
La memoria Flash es un tipo de memoria informática basada en semiconductores, no volátil y reescribible Esto significa que posee muchas de las características de la memoria RAM, excepto que sus datos no se eliminan al apagarse el ordenador. La memoria Flash almacena porciones de datos en las celdas de memoria, pero esos datos permanecen almacenados aunque se produzca un corte de energía.
Tipos de tarjetas de memoria
Existen muchos tipos de formatos de tarjetas de memoria que compiten y son incompatibles (casi una por fabricante). Dentro de estos formatos de tarjetas de memoria, los más comunes son:
* Compact Flash
* Tarjetas Secure Digital (llamadas tarjetas SD) * Memory Stick * SmartMedia
* MMC (MultimediaCard) * xD picture card Comparación
Dimensiones (mm) Volumen (mm3) Peso (g) Numero de conectores Velocidad de transferencia Capacidad teórica Capacidad máxima
Compact Flash
type I 43 x 36 x 3,3 5 108 3,3 50 20 Mo/s 137 Go 128 Go
Compact Flash
type II 43 x 36 x 5 7 740 4 50 20 Mo/s 137 Go 12 Go
SmartMedia 37 x 45 x 0,8 1 265 2 22 2 Mo/s 128 Mo 128 Mo
MMC 24 x 32 x 1,4 1 075 1,3 7 20 Mo/s 128 Go 8 Go
MMC Plus 24 x 32 x 1,4 1 075 1,3 7 52 Mo/s 128 Go 4 Go
RS-MMC MMC
Mobile 24 x 16 x 1,4 538 1,3 13 8 Mo/s 128 Go 2 Go
MMC Micro 14 x 12 x 1,1 185 < 1 13 128 Go 2 Go
Memory Stick
Standard, Pro 21,5 x 50 x 2,8 3 010 4 10 2 Mo/s 128 Mo 128 Mo
Memory Stick
Memory Stick
Duo, Pro Duo 20 x 31 x 1,6 992 2 10 20 Mo/s 32 Go 16 Go
Memory Stick
Pro-HG 20 x 31 x 1,6 992 2 10 60 Mo/s 32 Go 32 Go
Memory Stick Micro M2 12,5 x 15 x 1,2 225 2 10 20 Mo/s 32 Go 8 Go
SD 24 x 32 x 2,1 1 613 2 9 20 Mo/s 32 Go 32 Go
mini SD 20 x 21,5 x 1,4 602 1 11 12 Mo/s 32 Go 4 Go
micro SD 15 x 11 x 1 165 0,3 8 10 Mo/s 32 Go 12 Go
xD 25 x 20 x 1,8 890 2,8 18 9 Mo/s 8 Go 2 Go
Lectores de tarjetas de memoria
Se debe tener en cuenta que existen lectores de tarjetas de memoria a formato múltiple y la mayoría se puede conectar a un puerto USB.
Tarjeta de memoria Compact Flash La memoria Compact Flash (a veces denominada CCM) es un tipo de tarjeta de memoria creada en el año 1994 por la compañía SanDisk. Compact Flash está compuesta por un controlador de memoria y un chip de memoria flash ambos ubicados dentro de un gabinete minúsculo (42,8 mm de ancho por 36,4 mm de altura), más pequeño que una caja de fósforos y que pesa sólo 11,4 gramos.Existen dos tipos de tarjetas Compact Flash, de distintas dimensiones:
* Las tarjetas Compact Flash Tipo I, de 3,3 mm de espesor;
* Las tarjetas Compact Flash Tipo II, de 5 mm de espesor.
Las tarjetas CompactFlash cumplen con la norma PCMCIA/ATA aunque el conector tienen 50 clavijas en lugar de las 68 que caracterizan a las tarjetas PCMCIA. Es por este motivo que se puede insertar una tarjeta CompactFlash en una ranura pasiva de tarjeta PCMCIA Tipo II
Tarjetas de memoria (Tarjeta MS)
Tarjeta de memoria La tarjeta de memoria (también denominada MS o tarjeta MS) es un tipo de tarjeta de memoria creada conjuntamente por Sony y SanDisk en enero de 2000.
La arquitectura de las tarjetas de memoria se basa en circuitos de memoria flash NAND (EEPROM).
Las tarjetas de memoria son muy pequeñas (21,5 mm x 50 mm x 2,8 mm), lo que
equivale a la medida de una caja chica de fósforos, y pesa sólo 4 gramos.
Se puede acceder a los datos por medio de un conector de borde con 10 clavijas para un rendimiento de hasta 14,4 Mb/s (hasta un máximo de 19,6 Mb/s).
Existen dos tipos de tarjetas de memoria: la tarjeta de memoria "normal" y la "Magic Gate", que protege los documentos protegidos por derechos de autor.
Tarjetas multimedia (MMC)
MMC - Tarjetas multimedia La tarjeta de memoria multimedia (abreviada MMC) es un tipo de tarjeta de memoria creada conjuntamente por SanDisk y Siemens en noviembre de 1997. Su arquitectura se basa en una combinación de memoria de sólo lectura (ROM) para aplicaciones de sólo lectura y memoria flash para las necesidades de lectura/escritura.
Las tarjetas multimedia son muy pequeñas (24 mm x 32 mm x 1,4 mm), lo que equivale al tamaño de una estampilla postal, y pesan tan sólo 2,2 gramos.
Existen dos tipos de tarjetas MMC que poseen diferentes voltajes:
* MMC 3,3 V, con una muesca en la esquina superior izquierda
* MMC 5 V, con una muesca en la esquina superior derecha
Se puede acceder a los datos por medio de un conector de borde con 7 clavijas para un rendimiento de hasta 2 Mb/s (quizás hasta 2,5 Mb/s).
Tarjeta SD (Secure Digital)
Secure Digital
La memoria Secure Digital (también conocida como SD o Tarjeta SD) es un tipo de tarjeta de memoria creada por Matsushita Electronic, SanDisk y Toshiba en enero de 2000. La memoria SD está específicamente desarrollada para cumplir con los requisitos de seguridad en el campo de los dispositivos electrónicos de video y audio. Por lo tanto, incluye un sistema de protección de derechos de autor que cumple con la norma SDMI (Iniciativa Musical de Secure Digital).La arquitectura de las tarjetas SD está basada en los circuitos de memoria flash de
tipo NAND (EEPROM).
La memoria SD es de dimensiones reducidas (24,0 x 32,0 x 2,1 mm), equivale al tamaño de una estampilla postal, y pesa tan sólo 2 gramos.
El acceso a los datos se realiza mediante un conector lateral de 9 clavijas que alcanza una velocidad de transferencia de 2 Mb/s con la posibilidad de alcanzar hasta 10 MB/s.
El tiempo de acceso de la memoria SD es de 25µs aproximadamente para el primer acceso y ciclos de 50 ns para los ciclos subsiguientes.
Tarjetas SmartMedia
SmartMedia La memoria SmartMedia es un tipo de tarjeta de memoria creada por Toshiba y Samsung.
Su arquitectura está basada en los circuitos de memoria flash de tipo NAND (EEPROM).
La memoria SmartMedia posee un tamaño muy reducido, equivalente a una estampilla postal (45,0 x 37,0 x 0,76 mm) y pesa sólo 2 gramos.
Existen dos tipos de tarjeta SmartMedia con diferentes voltajes:
* Las tarjetas SmartMedia de 3,3 V poseen una muesca a la derecha
* Las tarjetas SmartMedia de 5 V poseen una muesca a la izquierda
El acceso a los datos se lleva a cabo mediante un chip con 22 clavijas. Más allá de cuál sea la capacidad de la tarjeta SmartMedia, sus dimensiones lo mismo que la ubicación del chip son las mismas.
El tiempo de acceso de la memoria es de aproximadamente 25µs para el primer acceso y ciclos de 50 ns para los siguientes.
Compatibilidad
Existen dos adaptadores que permiten insertar una tarjeta SmartMedia en una ubicación PCMCIA, y permitir la transferencia de datos directamente desde una tarjeta SmartMedia o desde un ordenador portátil.
Tarjeta de imagen xD
Tarjeta de imagen xD La memoria de Imagen xD (que significa Digital extremo) es un tipo de tarjeta de memoria creada por Fuji y Olympus en agosto del 2002.
La arquitectura de las tarjetas xD está basada en los circuitos de memoria flash de tipo NAND (EEPROM).
La tarjeta de memoria de imagen xD es más pequeña que una estampilla postal (20,0 x 25,0 x 1,7 mm) y pesa sólo 2 gramos.
El acceso a los datos se lleva a cabo mediante un conector lateral con 18 clavijas, que puede alcanzar una velocidad de transferencia de 1,3 Mb/s y potencialmente hasta 3 Mb/s para la escritura y alrededor de 5 Mb/s para la lectura.
Con el paso del tiempo, se espera que las tarjetas de imagen xD alcancen una capacidad de 8 Gb.
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